[发明专利]一种基于导电性变化的单晶硅表面机械损伤的检测方法在审
| 申请号： | 201810076164.0 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108333390A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 余丙军;刘潇枭;陈磊;钱林茂;邹乙稼;周超 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | G01Q60/24 | 分类号： | G01Q60/24 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于导电性变化的单晶硅表面机械损伤的检测方法，包括以下步骤：首先将清洁、干燥的待检测的单晶硅片放入导电原子力显微镜样品腔内，并对待检测的损伤区域进行扫描，获得表面形貌图和电流分布图；再对比分析扫描结果，并寻找单晶硅表面机械损伤位置，得出检测结果。本发明所提供的一种基于导电性变化的单晶硅表面机械损伤的检测方法中，采用原子力显微镜的微针尖进行扫描检测，接触压力远小于单晶硅的屈服时的临界接触压力，不会对样品造成损坏。本发明适用于检测单晶硅表面在切削、研磨、抛光等机械加工过程中所产生的机械损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅表面 机械损伤 检测 导电性 导电原子力显微镜 机械加工过程 原子力显微镜 单晶硅 表面形貌图 电流分布图 单晶硅片 对比分析 检测结果 接触压力 临界接触 扫描检测 扫描结果 损伤区域 研磨 微针尖 样品腔 抛光 切削 放入 屈服 扫描 清洁 | ||
【主权项】：
1.一种基于导电性变化的单晶硅表面机械损伤的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将清洁、干燥的待检测单晶硅片放入导电原子力显微镜样品腔内，并对待检测的表面损伤区域进行扫描，同时获得表面形貌图和电流分布图；S2、对比分析扫描结果，并寻找单晶硅表面机械损伤位置，得到检测结果。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810076164.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
