[发明专利]等离子体处理装置腔室主体内部清洁的等离子体处理方法有效
| 申请号： | 201810062455.4 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108346553B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 工藤仁;后平拓 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种包括等离子体处理装置的腔室主体的内部的清洁的等离子体处理方法。该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体来对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜在低温下进行蚀刻的主蚀刻；将被加工物从腔室搬出的步骤；和通过在将静电卡盘的温度设定为高温度的状态下生成清洁气体的等离子体，来对腔室主体的内部进行清洁的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 主体 内部 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，其包括等离子体处理装置的腔室主体的内部的清洁，所述等离子体处理方法的特征在于：所述等离子体处理装置包括：提供腔室的所述腔室主体；载置台，其设置在所述腔室内，具有保持载置在所述载置台上的被加工物的静电卡盘；和调节所述静电卡盘的温度的温度调节机构，所述等离子体处理方法包括：通过在所述腔室内生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来对载置在所述静电卡盘上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤，该步骤包含在利用所述温度调节机构将所述静电卡盘的温度设定为‑30℃以下的温度的状态下对该蚀刻对象膜进行蚀刻的主蚀刻；在执行所述进行蚀刻的步骤后将所述被加工物从所述腔室搬出的步骤；和在执行所述搬出所述被加工物的步骤的后，通过在利用所述温度调节机构将所述静电卡盘的温度设定为0℃以上的温度的状态下在所述腔室内生成含氧的清洁气体的等离子体，来对所述腔室主体的内部进行清洁的步骤。
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