[发明专利]一种磷化硼一维纳米材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种磷化硼一维纳米材料的制备方法，包括清洗Si衬底，烘干后镀上催化剂备用；将有催化剂的Si衬底置于管式炉石英管中部；将管式炉密封后充满惰性保护气体，然后对其抽真空；抽真空排除O₂之后，在惰性气体保护下加热石英管，待其升温至900～1000℃时，通入硼源前驱体和磷源前驱体；反应30～90min后，停止通入硼源和磷源前驱体，管式炉降温至室温，关闭惰性保护气体，取出Si衬底。本发明采用Si衬底，通过易于操作的化学气相沉积方法实现了磷化硼(BP)纳米线的成功制备；本发明的制备方法易于操作，不需要复杂的工艺条件，工艺简单，制得的磷化硼(BP)纳米线质量好，结晶度高，产率高，预期在中子探测器、光学探测器及微电子领域具有广泛的应用前景。

主权项

1.一种磷化硼一维纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：清洗Si衬底，烘干后镀上催化剂备用；S2：将有催化剂的Si衬底置于管式炉石英管中部；S3：将管式炉密封后充满惰性保护气体，然后对其抽真空；S4：抽真空排除O₂之后，在惰性气体保护下加热石英管，待其升温至900～1000℃时，通入硼源前驱体和磷源前驱体；S5：反应30～90min后，停止通入硼源和磷源前驱体，在惰性保护气体气氛下自动降温；硼源包括95％的Ar和5％的B₂H₆，磷源包括99.5％的H₂和0.5％的PH₃，硼源和磷源的流量分别为1～5sccm和20～100sccm；S6：管式炉降温至室温，关闭惰性保护气体，开炉取出Si衬底，衬底上浅黄色的沉积物即为磷化硼一维纳米材料；步骤S3‑S5中，惰性保护气为99.9999％纯度的Ar。