[发明专利]新型双极化低通带吸型频率选择结构

摘要

本发明涉及新型双极化低通带吸型频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构都采用带通型频率选择结构，此类结构通带带宽有限，并且很难覆盖低频。本发明采用单环反射平面，结合单环电路模拟吸收器，搭建出双极化低通带吸型频率选择结构，能够实现低频通带内低插入损耗，并在临近高频处产生一个较宽的吸波带。

主权项

1.新型双极化低通带吸型频率选择结构，为周期性分布结构，其特征在于每个结构单元垂直设置，包括带阻反射面和吸波面；吸波面与带阻反射面前后平行设置，且吸波面和带阻反射面之间留有一段空气间隙；所述的吸波面包括第一介质基片、以及镀在第一介质基片其中一表面的第一金属环；所述的第一金属环为封闭环形结构，边长小于第一介质基片的两轴长度，金属环的四边中心处分别焊接有一个射频电阻；所述的带阻反射面包括第二介质基片、以及镀在第二介质基片其中一表面的第二金属环；所述的第二金属环为封闭环形结构，边长小于第二介质基片两轴长度；上述的第一、二金属环与第一、二介质基片的中心重叠。