[发明专利]一种基于氮化硅波导的偏振无关集成光开关及其制作方法在审
| 申请号： | 201810039337.1 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108227084A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 冯吉军;孙晓宇;曾和平 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/35 | 分类号： | G02B6/35;G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氮化硅波导的偏振无关集成光开关，包括：硅基衬底；二氧化硅缓冲层，覆盖于硅基衬底上；芯层，镀在二氧化硅缓冲层上；二氧化硅上包层，覆盖于芯层上；以及芯层波导，设置于芯层中，其中，芯层波导包括：两个3dB定向耦合器，组成了马赫‑曾德干涉仪，两个3dB定向耦合器用于实现对TE、TM偏振波的均等分束，包括：150微米的S型弯曲波导和25微米的直波导，以及马赫‑曾德臂直波导，设置于两个3dB定向耦合器之间，用于连接两个3dB定向耦合器。本发明的一种基于氮化硅波导得到偏振无关集成光开关具有结构简单、成本低、高消光比、高偏振无关等优点，在光信号切换处理领域中具有重要的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 芯层 集成光开关 偏振无关 氮化硅 二氧化硅缓冲层 硅基衬 直波导 二氧化硅上包层 光信号切换 干涉仪 高偏振 消光比 分束 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化硅波导的偏振无关集成光开关，其特征在于，包括：硅基衬底；二氧化硅缓冲层，覆盖于所述硅基衬底上；芯层，镀在所述二氧化硅缓冲层上；二氧化硅上包层，覆盖于所述芯层上；以及芯层波导，设置于所述芯层中，其中，所述芯层波导包括：两个3dB定向耦合器，组成了马赫‑曾德干涉仪，所述两个3dB定向耦合器用于实现对TE、TM偏振波的均等分束，包括：150微米的S型弯曲波导和25微米的直波导，以及马赫‑曾德臂直波导，设置于所述两个3dB定向耦合器之间，用于连接所述两个3dB定向耦合器。
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