[发明专利]针对钨的化学机械抛光方法有效
| 申请号： | 201810030578.X | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108372431B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 何蔺蓁;蔡薇雯;李振彬 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B57/02;C09G1/02;C23F3/04;C23F3/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种化学机械抛光含钨衬底以降低腐蚀速率并抑制钨凹陷和下层电介质侵蚀的方法。所述方法包括提供衬底；提供含有以下各者作为初始组分的抛光组合物：水、氧化剂、二羟基双硫化物、二羧酸、铁离子源、胶态二氧化硅研磨剂以及任选地pH调节剂；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在所述抛光垫与所述衬底之间的界面处建立动态接触；以及将所述抛光组合物分配到所述抛光垫与所述衬底之间的所述界面处或附近的抛光表面上；其中从所述衬底抛光掉一些钨(W)，降低腐蚀速率，抑制钨(W)凹陷以及钨(W)下层的电介质侵蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械抛光钨的方法，其包含：提供包含钨和电介质的衬底；提供包含以下各者作为初始组分的化学机械抛光组合物：水；氧化剂；二羟基双硫化物；胶态二氧化硅研磨剂；二羧酸；铁(III)离子源；以及任选地pH调节剂；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处建立动态接触；以及将所述化学机械抛光组合物分配到所述化学机械抛光垫的所述抛光表面上以去除至少一些所述钨，所述抛光表面位于所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的所述界面处或附近。
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