[发明专利]一种用于磁性随机存储器的冗余参照布局电路有效
| 申请号： | 201810027177.9 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110033801B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 俞华樑;戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于磁性随机存储器的冗余参照布局电路，用于读取所述磁性随机存储的数据记忆单元，包括参照单元、电流镜、控制限流电路、参照选择开关和比较器；所述参照选择开关选择所述参考单元中的参照列，通过所述电流镜进行参照平均处理，得到平均电位VP和所述记忆单元待测磁性隧道结电位VMTJ，并发送到所述比较器进行比较，读出数据记忆单元内的数据。本发明改进了由于个别不良参照磁性隧道结的存在，使得大量以此为参照的数据记忆单元不能准确读取的问题，把含有不良参照磁性隧道结排除最终的参照以外，从而提高了数据读取的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 磁性 随机 存储器 冗余 参照 布局 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于磁性随机存储器的冗余参照布局电路，用于读取所述磁性随机存储的记忆单元，其特征在于，所述电路包括参照单元、电流镜、控制限流电路、参照选择开关和比较器；所述参照单元，由参照列Ref1、Ref2、…..、Refn组成；所述电流镜由一组等同的PMOS管P1、PR1、PR2、…..、PRn组成；控制限流电路由同样的栅极电压Vclamp控制的一组等同的NMOS管N1、NR1、NR2、…..、NRn组成；参照选择开关，对输入的参照列进行选择，包括PMOS管PK1和NMOS管NK1，同一个开关信号K1控制；所述参照选择开关选择所述参考单元中的参照列，通过所述电流镜进行参照平均处理，得到平均电位VP(A点电位)和所述记忆单元待测磁性隧道结电位VMTJ(B1点电位)，并将所述平均电位VP和待测磁性隧道结电位VMTJ发送到所述比较器进行比较，读出所述数据记忆单元R内的数据。
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