[发明专利]一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料及其制备方法在审
申请号: | 201810012205.X | 申请日: | 2018-01-05 |
公开(公告)号: | CN108365091A | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 胡益丰;张锐;郭璇;尤海鹏;朱小芹;邹华 | 申请(专利权)人: | 江苏理工学院 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 张宇 |
地址: | 213001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料,其化学组成通式为Zn10Sb90Ox,其中x代表不同的掺氧量标记,x=0.5、1、1.2、1.5;还公开了该掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料的制备方法。本发明的掺氧的Zn10Sb90Ox纳米薄膜材具有较高的晶化温度,能够大大提高PCRAM的热稳定性以及十年数据保持温度;同时具有较高的晶态电阻,从而能够减少PCRAM的功耗。 | ||
搜索关键词: | 纳米相变薄膜材料 制备 化学组成通式 晶态电阻 纳米薄膜 热稳定性 数据保持 功耗 晶化 | ||
【主权项】:
1.一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料,其特征在于,其化学组成通式为Zn10Sb90Ox,其中x代表不同的掺氧量标记,x=0.5、1、1.2、1.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏理工学院,未经江苏理工学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810012205.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种结晶温度可调的Ga<sub>30</sub>Sb<sub>70</sub>/Sb<sub>80</sub>Te<sub>20</sub>纳米复合多层相变薄膜材料
- 一种用于相变存储器的硅-硒化锡纳米多层复合相变薄膜材料
- 一种Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
- Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法
- 一种类超晶格锡硒/锑纳米相变薄膜及其制备与应用
- 一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途
- 一种用于高稳定性相变存储器的Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料及制备方法
- 一种Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜及其制备方法
- Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
- 一种CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法和应用