[发明专利]一种电源热插拔的双阈值过流保护系统及方法在审
申请号: | 201810012059.0 | 申请日: | 2018-01-05 |
公开(公告)号: | CN108199341A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 路广;李大利 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | H02H3/00 | 分类号: | H02H3/00;H02H3/093;H02H9/02 |
代理公司: | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人: | 王汝银 |
地址: | 450018 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明涉及电路保护技术领域,提供一种电源热插拔的双阈值过流保护系统及方法,该系统包括功率MOSFET装置、控制器、电流侦测装置和计时器,电流侦测装置用于侦测功率MOSFET装置的电流值;控制器用于将接收到的电流值分别与预先设置的第一电流触发门限值和第二电流触发门限值进行比对,并根据计时器的计时状态,控制生成调整流经所述功率MOSFET装置的电流所对应的电流触发门限值的调整指令;计时器用于根据控制器的工作状态,执行计时操作;功率MOSFET装置用于控制流经的电流的大小和电流的通断,从而优化现有的热插拔线路的保护策略,减小了功率MOSFET装置故障的可能性,保证热插拔线路正常工作。 | ||
搜索关键词: | 功率MOSFET 计时器 电流触发 控制器 门限 电流侦测装置 电源热插拔 过流保护 热插拔 电路保护 调整指令 计时状态 预先设置 装置故障 比对 减小 通断 侦测 计时 优化 保证 | ||
【主权项】:
1.一种电源热插拔的双阈值过流保护系统,其特征在于,所述电源热插拔的双阈值过流保护系统包括功率MOSFET装置、控制器、电流侦测装置和计时器,其中:所述电流侦测装置,用于侦测所述功率MOSFET装置的电流值,并将侦测到的电流值发送给所述控制器;所述控制器,分别与所述电流侦测装置、功率MOSFET装置和计时器连接,用于接收所述电流侦测装置侦测到的电流值,并将接收到的所述电流值分别与预先设置的第一电流触发门限值和第二电流触发门限值进行比对,并根据所述计时器的计时状态,控制生成调整流经所述功率MOSFET装置的电流所对应的电流触发门限值的调整指令;所述计时器,用于根据所述控制器的工作状态,执行计时操作;所述功率MOSFET装置,用于根据生成的所述调整指令,控制流经的电流的大小和电流的通断。
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