[发明专利]一种电源热插拔的双阈值过流保护系统及方法在审

专利信息
申请号: 201810012059.0 申请日: 2018-01-05
公开(公告)号: CN108199341A 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 路广;李大利 申请(专利权)人: 郑州云海信息技术有限公司
主分类号: H02H3/00 分类号: H02H3/00;H02H3/093;H02H9/02
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 代理人: 王汝银
地址: 450018 河南省郑州市*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 功率MOSFET 计时器 电流触发 控制器 门限 电流侦测装置 电源热插拔 过流保护 热插拔 电路保护 调整指令 计时状态 预先设置 装置故障 比对 减小 通断 侦测 计时 优化 保证
【权利要求书】:

1.一种电源热插拔的双阈值过流保护系统,其特征在于,所述电源热插拔的双阈值过流保护系统包括功率MOSFET装置、控制器、电流侦测装置和计时器,其中:

所述电流侦测装置,用于侦测所述功率MOSFET装置的电流值,并将侦测到的电流值发送给所述控制器;

所述控制器,分别与所述电流侦测装置、功率MOSFET装置和计时器连接,用于接收所述电流侦测装置侦测到的电流值,并将接收到的所述电流值分别与预先设置的第一电流触发门限值和第二电流触发门限值进行比对,并根据所述计时器的计时状态,控制生成调整流经所述功率MOSFET装置的电流所对应的电流触发门限值的调整指令;

所述计时器,用于根据所述控制器的工作状态,执行计时操作;

所述功率MOSFET装置,用于根据生成的所述调整指令,控制流经的电流的大小和电流的通断。

2.根据权利要求1所述的电源热插拔的双阈值过流保护系统,其特征在于,所述控制器具体包括:

电流值接收模块,用于接收所述电流侦测装置侦测到的电流值;

第一比对判断模块,用于将接收到的所述电流值分别与预先设置的第一电流触发门限值进行比对,判断接收到的所述电流值是否达到第一电流触发门限值;

计时控制模块,用于当所述电流值达到第一电流触发门限值时,控制启动所述计时器进行计时操作;

第一判断模块,用于判断流经所述功率MOSFET装置的实时电流超过所述第一电流触发门限值的持续时间是否大于预设额定时间数值;

第二判断模块,用于判断流经所述功率MOSFET装置的实时电流超过所述第一电流触发门限值的次数是否大于预设的次数额定值;

第一电流触发门限值调整模块,用于当实时电流超过所述第一电流触发门限值的持续时间大于预设额定时间数值,或者当实时电流超过所述第一电流触发门限值的次数大于预设的次数额定值时,将流经所述功率MOSFET装置的电流所对应的电流触发门限值由第一电流触发门限值调整为第二电流触发门限值。

3.根据权利要求2所述的电源热插拔的双阈值过流保护系统,其特征在于,所述控制器还包括:

第二比对判断模块,用于对流经所述功率MOSFET装置的实时电流进行比对,判断流经所述功率MOSFET装置的实时电流是否恢复到第一电流触发门限值以下;

第二电流触发门限值调整模块,用于当流经所述功率MOSFET装置的实时电流恢复到第一电流触发门限值以下时,将流经所述功率MOSFET装置的电流所对应的电流触发门限值由第二电流触发门限值调整为第一电流触发门限值。

4.根据权利要求1所述的电源热插拔的双阈值过流保护系统,其特征在于,所述电流侦测装置为串连接在所述功率MOSFET装置所在的电流主线路上的侦测电阻。

5.根据权利要求1所述的电源热插拔的双阈值过流保护系统,其特征在于,所述电流侦测装置集成设置在所述功率MOSFET装置内;

所述功率MOSFET装置由三个并联设置的场效应管组成,三个所述场效应管分别依次与运算放大器组、逻辑与门串联,所述逻辑与门的输出端与所述控制器连接;

所述运算放大器组包括依次串接的第一级运算放大器和第二级运算放大器。

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