[发明专利]双色单光子源结构的制备方法及制备的结构有效
| 申请号： | 201810004934.0 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108365517B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 喻颖;李彦;吴泽儒;陈晓添;余思远 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双色单光子源结构的制备方法，包括有以下步骤：S1.在半导体衬底上生长并制备纳米线单量子点结构；S2.对纳米线单量子点结构进行部分平整化，露出纳米线顶端的应力小岛；S3.使用机械剥离法制作二维薄膜，并将二维薄膜转移至应力小岛上，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 双色单 光子 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.双色单光子源结构的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：S1.在半导体衬底上生长并制备纳米线单量子点结构；S2.对纳米线单量子点结构进行部分平整化，露出纳米线顶端的应力小岛；S3.使用机械剥离法制作二维薄膜，并将二维薄膜转移至应力小岛上，完成制备。
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