[发明专利]减少半导体器件中的带到带隧穿在审
| 申请号： | 201780095386.0 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111108603A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | B.楚-孔;J.T.卡瓦利罗斯;成承训;S.舒克西;H.W.肯内尔;D.巴苏;A.阿拉瓦尔;G.A.格拉斯;T.贾尼;A.S.默西 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/73;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙鹏;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了集成电路晶体管结构，其减少在晶体管的沟道区与源极/漏极区之间的带到带隧穿，而没有不利地增大器件的非本征电阻。在示例性实施例中，所述结构包括一个或多个间隔物，所述间隔物被配置成将源极和/或漏极与沟道区分离。所述（多个）间隔物的区包括如下半导体材料：所述半导体材料为PMOS器件提供相对高的导带偏移（CBO）以及相对低的价带偏移（VBO），并且为NMOS器件提供相对高的VBO和相对低的CBO。在一些情况中，所述间隔物包括硅、锗和碳（例如对于具有锗沟道的器件而言）。所述比例可以是按原子百分比的至少10%的硅、按原子百分比的至少85%的锗，以及按原子百分比的至少1%的碳。其它实施例利用III‑V材料来被实现。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 半导体器件 中的 带到 带隧穿 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780095386.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
