[发明专利]磁控溅射阴极系统在审
| 申请号： | 201780092148.4 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110770364A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 王三军;刘圣烈;黄维邦;余晓军 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种磁控溅射阴极系统(10)，磁控溅射阴极系统(10)包括靶材(12)和设置在靶材(12)一侧的多个电磁系统单元(14)。每个电磁系统单元(14)独立工作并能够产生不同的磁力效应，电磁系统单元(14)的磁场线穿过靶材(12)的溅射面(122)。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁系统 靶材 磁控溅射阴极 磁力效应 磁场线 溅射面 穿过 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射阴极系统，其特征在于，包括：/n靶材；和/n设置在所述靶材一侧的多个电磁系统单元，每个所述电磁系统单元独立工作并能够产生不同的磁力效应，所述电磁系统单元的磁场线穿过所述靶材的溅射面。/n
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