[发明专利]氧化物烧结材料、制造氧化物烧结材料的方法、溅射靶和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201780086594.4 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN110312691B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/453;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;牛嵩林 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法，所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相在X射线衍射中在2θ大于34.74°且小于34.97°的位置处具有第一衍射峰，其中所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm |
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| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 材料 制造 方法 溅射 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种含有铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相在X射线衍射中在2θ大于34.74°且小于34.97°的位置处具有第一衍射峰，其中所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，在所述氧化物烧结材料中相对于铟、钨和锌的总量的钨的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，在所述氧化物烧结材料中相对于铟、钨和锌的总量的锌的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且在所述氧化物烧结材料中锌对钨的原子比为大于1.0且小于20000。
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