[发明专利]引导式集成电路缺陷检测有效
| 申请号： | 201780085151.3 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110325843B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘华玉;林杰;张兆礼;俞宗强 | 申请（专利权）人： | 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88;G01N21/956;G01N21/01 |
| 代理公司： | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人： | 李洁;魏文浩 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 已经提供了一种用于检测集成电路的缺陷的方法和系统。该方法包括：生成集成电路的工艺制程敏感图形；使用高分辨率系统扫描该工艺制程敏感图形以提供该集成电路的工艺制程条件参数；使用该参数确定该集成电路的关注区域；和使用该高分辨率系统扫描该关注区域以检测该集成电路的至少一个缺陷。该系统包括处理器和存储器，该存储器具有能够由处理器执行的指令，以生成集成电路的工艺制程敏感图形，使用高分辨率系统扫描工艺制程敏感图形以提供集成电路的工艺制程条件参数，使用工艺制程条件参数确定集成电路的关注区域，和使用高分辨率系统扫描所述关注区域以检测集成电路的至少一个缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 引导 集成电路 缺陷 检测 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测集成电路的缺陷的方法，所述方法包括：生成集成电路的工艺制程敏感图形；使用高分辨率系统扫描所述工艺制程敏感图形以提供所述集成电路的工艺制程条件参数；使用所述工艺制程条件参数确定所述集成电路的关注区域；和使用所述高分辨率系统扫描所述关注区域以检测所述集成电路的至少一个缺陷。
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