[发明专利]制作半导体X射线检测器的方法在审
| 申请号： | 201780083679.7 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110291423A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 曹培炎;宋崇申;刘雨润 | 申请（专利权）人： | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种图像传感器(9000)包括：半导体辐射检测器的一个或多个封装件；其中所述一个或多个封装件中的每个封装件包括所述半导体辐射检测器(100)，其中所述半导体辐射检测器(100)包括第一条带(908)的半导体晶片(906)上的辐射吸收层(110)和第二条带(903)的半导体晶片(902)上的电子层(120)，其中所述辐射吸收层(110)沿所述第一条带(908)的半导体晶片(906)是连续的，并且不具有覆盖间隙，其中所述第一条带(908)和所述第二条带(903)纵向地对齐并接合在一起。X射线图像质量有提高。 | ||
| 搜索关键词： | 条带 半导体辐射检测器 半导体晶片 封装件 辐射吸收层 图像传感器 对齐 接合 电子层 半导体 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：半导体辐射检测器的一个或多个封装件；其中，所述一个或多个封装件中的每个封装件包括所述半导体辐射检测器，其中，所述半导体辐射检测器包括第一条带的半导体晶片上的辐射吸收层和第二条带的半导体晶片上的电子层，其中，所述辐射吸收层沿所述第一条带的半导体晶片是连续的，并且不具有覆盖间隙，其中，所述第一条带的半导体晶片和所述第二条带的半导体晶片纵向地对齐并接合在一起。
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