[发明专利]基板清洗装置及基板清洗方法有效
申请号: | 201780080558.7 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN110121762B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 吉田幸史;樋口鲇美;山口直子 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 向基板(9)供给含有溶剂及溶质在内的处理液。通过使溶剂的至少一部分从处理液中挥发而使处理液固化或硬化,由此使处理液成为微粒保持层。向基板(9)上供给去除液并将微粒保持层从基板(9)去除。微粒保持层含有的溶质成分相对于去除液为不溶性或难溶性而溶剂为可溶性。微粒保持层含有的溶质成分具有在加热至改性温度以上的情况下改性而相对于去除液变为可溶性的性质。去除液在形成微粒保持层后不经过使溶质成分改性既被供给的工序。 | ||
搜索关键词: | 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板清洗装置,其特征在于,具备:处理液供给部,其向基板上供给含有溶剂及溶质在内的处理液;去除液供给部,其向所述基板上供给去除液;以及控制部,其对所述处理液供给部及所述去除液供给部进行控制,所述溶剂具有挥发性,所述溶剂的至少一部分从供给到所述基板上的所述处理液挥发而使所述处理液固化或硬化,由此使所述处理液成为微粒保持层,所述微粒保持层中含有的作为所述溶质的溶质成分或从所述溶质导出的溶质成分相对于所述去除液为不溶性或难溶性,而所述溶剂相对于所述去除液为可溶性,所述微粒保持层中含有的所述溶质成分具有在加热至改性温度以上的情况下改性而相对于所述去除液变为可溶性的性质,通过所述控制部的控制,在所述基板上形成了所述微粒保持层后,不经过使所述微粒保持层的所述溶质成分改性的工序而从所述去除液供给部向所述微粒保持层供给所述去除液,由此从所述基板上去除所述微粒保持层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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