[发明专利]制备纳米尺寸发光半导体材料的方法在审
| 申请号： | 201780076609.9 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110072968A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | N·格兰巴赫;I·达维迪;S·内什塔特 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈晰 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及制备纳米尺寸发光半导体材料的方法，纳米尺寸发光半导体材料，包含纳米尺寸发光半导体材料的光学介质，以及包含光学介质的光学器件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光半导体材料 光学介质 制备 光学器件 | ||
【主权项】：
1.制备包含核/壳结构的纳米尺寸发光半导体材料的方法，其中所述方法包括以下顺序的步骤(a)、(b)和(c)(a)在溶液中合成核，(b)添加至少一种选自由以下化学式(I)表示的金属卤化物和由以下化学式(II)表示的氨基膦的添加剂，M1X1n (I)其中M1是Zn或Cd，X1是选自Cl，Br和I的卤素，n是2。(R1R2N)3P (II)其中R1和R2在每次出现时独立地或非独立地是氢原子或具有1至25个碳原子的烷基或烯烃链，(c)使用步骤(b)中获得的所述溶液，以至少一个壳层涂覆核。
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