[发明专利]非水电解质蓄电元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780075778.0 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110178249B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 菊池彰文;城户良太 | 申请（专利权）人： | 株式会社杰士汤浅国际 |
| 主分类号： | H01M4/131 | 分类号： | H01M4/131;H01M4/1391;H01M4/505;H01M4/62;H01M10/0567 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在45℃左右的高温下的充放电循环后的容量保持率高的非水电解质蓄电元件以及这样的非水电解质蓄电元件的制造方法。本发明的一个方式是一种非水电解质蓄电元件，其具备具有正极复合材料的正极，上述正极复合材料含有含锰的锂过渡金属复合氧化物和磷原子，在利用X射线光电子能谱法得到的上述正极复合材料的谱图中，P2p的峰位置为134.7eV以下。本发明的另一个方式是一种非水电解质蓄电元件的制造方法，其具备使用含有含锰的锂过渡金属复合氧化物和磷的含氧酸的正极复合材料糊来形成正极的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 水电 解质蓄电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非水电解质蓄电元件，具备具有正极复合材料的正极，所述正极复合材料含有含锰的锂过渡金属复合氧化物和磷原子，在利用X射线光电子能谱法得到的所述正极复合材料的谱图中，P2p的峰位置为134.7eV以下。
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