[发明专利]在压印光刻工艺中配置光学层在审

专利信息
申请号: 201780074523.2 申请日: 2017-09-14
公开(公告)号: CN110023234A 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: V·辛格;M·N·米勒;F·Y·徐 申请(专利权)人: 分子印记公司
主分类号: B82Y10/00 分类号: B82Y10/00;B82Y20/00;B82Y40/00;G03F7/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 牛晓玲;吴鹏
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 配置光学层的压印光刻方法包括利用图案化模板在衬底的一面上压印具有第一数量级的尺寸的第一特征,同时利用图案化模板在衬底的该面上压印具有第二数量级的尺寸的第二特征,第二特征尺寸确定且布置成在衬底与相邻表面之间限定一间隙。
搜索关键词: 衬底 图案化模板 光学层 压印 压印光刻工艺 尺寸确定 相邻表面 压印光刻 配置
【主权项】:
1.一种配置光学层的压印光刻方法,所述压印光刻方法包括:利用图案化模板在衬底的一面上压印具有第一数量级的尺寸的第一特征;同时利用图案化模板在所述衬底的所述面上压印具有第二数量级的尺寸的第二特征,所述第二特征被确定尺寸且布置成在所述衬底与相邻表面之间限定一间隙。
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