[发明专利]基于电阻的存储器编译器有效
| 申请号： | 201780074160.2 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110024033B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 奈尔什·A·加利亚 | 申请（专利权）人： | 纽蒙有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;丁惠敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了系统、方法和设备，用户可以适应基于电阻的存储器单元和基于磁性的存储器单元的独特特性的方式指定基于电阻的存储器阵列的各种布局和操作参数。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电阻 存储器 编译器 | ||
【主权项】：
1.一种用于校准包括多个基于电阻的存储器(RBM)单元的存储器阵列的操作的方法，所述方法包括：生成写入电压；通过将写入电压施加到与所选择的RBM单元相关联的字线一段时间，将测试数据写入所述选择的RBM单元；读取存储在所述选择的RBM单元中的数据；将所述存储数据与所述测试数据进行比较；以及基于所述比较选择性地调节所述写入电压和所述时间段中的至少一个。
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