[发明专利]修饰干细胞记忆T细胞、其制造方法与使用方法在审
| 申请号： | 201780073874.1 | 申请日： | 2017-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN110199015A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | E.奥斯特塔;D.舍德洛克 | 申请（专利权）人： | 波赛达治疗公司 |
| 主分类号： | C12N5/0783 | 分类号： | C12N5/0783;A61K35/17 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周蓉;黄登高 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开提供了一种生产修饰的干细胞样记忆T细胞(例如CAR‑T细胞)的方法，用于施用于受试者作为例如过继细胞疗法。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆T细胞 干细胞 修饰 细胞疗法 制造 生产 | ||
【主权项】：
1.生产修饰的干细胞样记忆T细胞(TSCM)的方法，包括：向原代人T细胞中引入(a)包含含有抗原受体、治疗蛋白或编码它们的序列的转座子的转座子组合物，和(b)包含转座酶或编码该转座酶的序列的转座酶组合物以生产修饰T细胞，其中该修饰T细胞表达干细胞样记忆T细胞(TSCM)的一种或更多种细胞表面标记，由此生产修饰的干细胞样记忆T细胞(TSCM)。
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