[发明专利]用于去除蚀刻后残留物的清洁组合物在审
| 申请号： | 201780072992.0 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110023477A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | M·佩恩;E·库珀;金万涞;E·洪;S·金 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;C11D3/00;C11D7/36;C11D11/00;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种清洁组合物，其有助于在生产半导体中去除蚀刻后残留物。提供一种储备组合物，其包含：氢氧化四烷基铵碱或季铵化三烷基烷醇胺碱；腐蚀抑制剂；和至少两种或超过两种多元酸或其盐的组合，其中至少一种所述多元酸或其盐含有磷。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻后残留物 清洁组合物 多元酸 去除 氢氧化四烷基铵 烷基 腐蚀抑制剂 季铵化 烷醇胺 半导体 储备 生产 | ||
【主权项】：
1.一种储备组合物，其包含：氢氧化四烷基铵碱或季铵化三烷基烷醇胺碱；腐蚀抑制剂；和至少两种或超过两种多元酸或其盐的组合，其中至少一种所述多元酸或其盐含有磷。
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