[发明专利]使用动态冗余寄存器的存储器设备有效
| 申请号： | 201780072272.4 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109997188B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | M·艾尔·巴拉吉;N·伯杰;B·S·路易;L·M·克鲁德尔;D·L·希尔曼 | 申请（专利权）人： | 芯成半导体(开曼)有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C8/12 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于设备使用的动态冗余寄存器。所述动态冗余寄存器允许所述设备的存储体在高写错误率(WER)的情况下操作。将第一级冗余寄存器(e1寄存器)耦合到所述存储体。所述e1寄存器可存储已经验证失败或者未进行验证的数据字。所述e1寄存器将数据字传送到另一动态冗余寄存器(e2寄存器)。在进行预定次数的重写尝试之后，所述e1寄存器可以将未能写入的数据字传送到存储体。所述e1寄存器还可以在断电的情况下传送数据字。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 动态 冗余 寄存器 存储器 设备 | ||
【主权项】：
1.一种存储器设备，包括：存储体，其中每个存储器单元被布置成在多个存储器地址中的一个存储器地址处存储数据字；第一级动态冗余寄存器，包括数据存储元件；第二级动态冗余寄存器，包括数据存储元件；以及管线体，耦合到所述存储体、所述第一级动态冗余寄存器和所述第二级动态冗余寄存器，其中所述管线体被配置成：在所述多个存储器地址中的选定的一个存储器地址处将数据字写入所述存储体；验证写入所述存储体的所述数据字，以确定通过所述写入所述数据字是否成功写入；响应于确定通过所述写入所述数据字未成功写入，将所述数据字和所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址写入所述第一级动态冗余寄存器；将存储在所述第一级动态冗余寄存器中的所述数据字重写入所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址处的所述存储体；响应于所述重写，执行验证以确定所述数据字是否成功写入所述存储体；以及响应于确定在所述重写期间所述数据未成功写入，将所述数据字和所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址写入第二级动态冗余寄存器。
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