[发明专利]半导体激光器有效
| 申请号： | 201780071378.2 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109964375B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·劳尔;托马斯·斯威特利克 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种半导体激光器(10)，所述半导体激光器具有有源区(1)和波导(2)，其中有源区具有有源层(13)，所述有源层在半导体激光器运行时构建用于产生电磁辐射。波导构建用于在半导体激光器内引导在半导体激光器运行时产生的电磁辐射。波导具有子区(210，220)，所述子区由化合物半导体材料形成，其中化合物半导体材料的一种材料的份额在整个子区中沿着竖直方向朝向有源区逐渐升高，由此子区的折射率朝向有源区逐渐减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器(10)，所述半导体激光器具有有源区(1)和波导(2)，其中‑有源区具有有源层(13)，所述有源层在所述半导体激光器运行时构建用于产生电磁辐射，‑所述波导构建用于在所述半导体激光器内引导在所述半导体激光器运行时产生的所述电磁辐射，‑所述波导具有子区(210，220)，所述子区由化合物半导体材料形成，其中所述化合物半导体材料的一种材料的份额在整个子区中沿着竖直方向朝向所述有源区逐渐升高，由此所述子区的折射率朝向所述有源区逐渐减小，以及‑所述份额是铝份额或磷份额。
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