[发明专利]用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器有效
| 申请号： | 201780067125.8 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109891691B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 艾尔弗雷德·莱尔;格奥尔格·布吕德尔;约翰·布鲁克纳;斯文·格哈德;穆罕默德·阿利;托马斯·阿德霍奇 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01L21/268;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种用于制造半导体激光器(100)的方法，所述方法具有下述步骤：‑提供衬底(1)，所述衬底具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置用于，在所述半导体激光器(100)运行时产生光(8)，‑将连贯的接触层(11)施加在所述衬底(1)的与所述半导体层序列(2)相对置的下侧(10)上，所述接触层具有至少一个第一子区域(12)和至少一个第二子区域(13)，‑仅在至少一个第一子区域(12)中局部热处理所述接触层(11)，尤其借助于基于激光器的辐照方法。此外，提出一种半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体激光器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体激光器(100)的方法，所述方法包括下述步骤：‑提供衬底(1)，所述衬底具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置用于，在所述半导体激光器(100)运行时产生光(8)，‑将连贯的接触层(11)施加在所述衬底(1)的与所述半导体层序列(2)相对置的下侧(10)上，所述接触层具有至少一个第一子区域(12)和至少一个第二子区域(13)，‑仅在至少一个第一子区域(12)中局部热处理所述接触层(11)。
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