[发明专利]光学隔离系统和电路以及具有延伸横向P-N结的光子检测器有效

专利信息
申请号: 201780066981.1 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN109906517B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: B·J·马莱 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: H01L31/16 分类号: H01L31/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 所公开的实例包含横向光伏传感器(100)和系统,其具有:一或多个半导体结构(101、103),所述一或多个半导体结构单独地包含横向传感器表面(107b)以接收给定波长(λ)的光子;以及延伸横向结区,其具有大于5乘以对应于所述给定波长(λ)的所述半导体结构的吸收深度的有效结距离(D),以促进高电流传送比率以供用于低噪声、高效率电力供应应用以及光学隔离数据传送或光子检测器应用。
搜索关键词: 光学 隔离 系统 电路 以及 具有 延伸 横向 光子 检测器
【主权项】:
1.一种隔离电路,其包括:光源,其经配置以沿光学路径产生给定波长的光信号;以及光传感器,其与所述光源间隔开光学通道距离,所述光传感器包括:半导体结构,其包含:顶部,底部,前侧,其至少部分面向所述光学路径以提供传感器表面以接收所述光信号,后侧,其与所述前侧间隔开,多个横向侧,其在所述顶部与所述底部之间垂直地延伸,所述横向侧在所述前侧与所述后侧之间水平地延伸,p掺杂部分,其包含p型掺杂剂,所述p掺杂部分沿所述底部的至少一部分延伸,以及n掺杂部分,其包含至少部分邻近于所述p掺杂部分的n型掺杂剂以形成以有效结距离在所述前侧与所述后侧之间延伸的至少一个p‑n结,所述n掺杂部分沿所述顶部的至少一部分延伸,所述有效结距离大于常数K乘以对应于所述给定波长的所述半导体结构的吸收深度,K大于或等于5。
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