[发明专利]包含具有二羟基的有机基的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物在审
| 申请号： | 201780066716.3 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109891321A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 柴山亘;中岛诚;石桥谦;坂本力丸 | 申请（专利权）人： | 日产化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08G59/68;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 马妮楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供一种含有硅的抗蚀剂下层膜，是可以在光刻工序作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜，其能够通过使用了化学溶液的湿式法、特别是SPM(硫酸与过氧化氢水的混合水溶液)来除去。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含：在全部水解性硅烷中以10～90摩尔％的比例包含具有环氧基的水解性硅烷的水解性硅烷的利用碱性物质水溶液而获得的水解缩合物，包含该水解缩合物的反应体系中进一步包含含有有机基的水解缩合物，所述有机基具有利用无机酸或阳离子交换树脂进行的环氧基的开环反应而产生的二羟基。是将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于基板进行烧成后获得的抗蚀剂下层膜，该抗蚀剂下层膜能够用以1：1～4：1的H2SO4/H2O2的质量比包含硫酸和过氧化氢的水溶液来除去。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂下层膜 形成用组合物 水解缩合物 水解性硅烷 有机基 二羟基 环氧基 硫酸 碱性物质水溶液 阳离子交换树脂 过氧化氢的 过氧化氢水 混合水溶液 光刻工序 化学溶液 开环反应 湿式法 无机酸 硬掩模 质量比 基板 烧成 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含：包含具有二羟基的有机基的水解缩合物，所述包含具有二羟基的有机基的水解缩合物中的二羟基是通过利用无机酸或阳离子交换树脂使包含具有环氧基的有机基的水解缩合物中的该环氧基进行开环反应而产生的，所述包含具有环氧基的有机基的水解缩合物是基于全部水解性硅烷以10～90摩尔％的比例包含具有环氧基的水解性硅烷的水解性硅烷利用碱性物质水溶液而获得的水解缩合物。
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