[发明专利]投射曝光方法和微光刻的投射曝光设备

摘要

本发明涉及投射曝光方法。用辐射敏感的多层系统涂覆基板，该多层系统包括由第一光刻胶材料制成的第一光刻胶层以及由第二光刻胶材料制成且在第一光刻胶层和基板之间分离地施加的第二光刻胶层。第一光刻胶材料具有第一波长范围中的相对较高的第一敏感度以及第二波长范围中的比第一敏感度更低的第二敏感度，并且该第二光刻胶材料具有第二波长范围中的适合于曝光的第二敏感度。通过图案的图像来曝光基板，并且使用辐射源的辐射，所述辐射具有包括第一波长范围和第二波长范围的工作波长范围。为此，使用针对第一波长范围和第二波长范围校正的投射镜头，使得属于第一波长范围的第一聚焦区域相对于属于第二波长范围的第二聚焦区域偏移了焦点距离。

主权项

1.一种投射曝光方法，用于以在投射镜头的物平面的区域中布置的掩模的图案的至少一个图像来曝光在所述投射镜头的像平面的区域中布置的基板，所述方法包括以下步骤：用辐射敏感的多层系统(MS)涂覆所述基板(SUB)，所述辐射敏感的多层系统(MS)包括由第一光刻胶材料构成的第一光刻胶层(FLS1)以及由第二光刻胶材料构成且在所述第一光刻胶层和所述基板之间分离施加的第二光刻胶层(FLS2)，其中所述第一光刻胶材料具有第一波长范围中的相对较高的第一敏感度，以及在与所述第一波长范围分离的第二波长范围中的第二敏感度，该的第二敏感度相对于所述第一敏感度较低，并且所述第二光刻胶材料具有所述第二波长范围中的适合曝光的第二敏感度；使用具有包括所述第一波长范围和所述第二波长范围的操作波长范围的辐射源(RS)的辐射，以所述图案的图像来曝光涂覆有所述辐射敏感的多层系统(MS)的所述基板；其中使用针对所述第一波长范围和所述第二波长范围校正的投射镜头(PO)，使得与所述第一波长范围相关联的第一聚焦区域(FOC1)相对于与所述第二波长范围相关联的第二聚焦区域(FOC2)偏移了焦点距离(ΔFOC)，其中所述第一聚焦区域(FOC1)位于所述第一光刻胶层(FLS1)内，并且所述第二聚焦区域(FOC2)位于所述第二光刻胶层(FLS2)内。