[发明专利]直接调制激光器驱动电路有效

专利信息
申请号: 201780064961.0 申请日: 2017-10-16
公开(公告)号: CN109891690B 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 岸俊树;长谷宗彦;中野慎介;桂井宏明;野河正史;野坂秀之 申请(专利权)人: 日本电信电话株式会社
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042;H03F1/22;H03K19/0175;H04B10/54
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 驱动器电路(11)包括多个级联连接的NMOS晶体管,调制信号(VGN1)被施加到所述NMOS晶体管中的位于最下级处的最下级晶体管(TN1)的栅极端子,对位于所述最下级晶体管的上级处的上级晶体管(TN2)的栅极端子施加上级偏置电位(VGN2),所述上级偏置电位(VGN2)包括位于所述上级晶体管(TN2)的紧邻下级的晶体管(TN1)的最小栅极‑源极电压(VGN1min)和最大漏极‑源极电压(VDS1max)之和。
搜索关键词: 直接 调制 激光器 驱动 电路
【主权项】:
1.一种直接调制激光器驱动电路,包括:电源电路,配置为向激光二极管供给驱动电流;以及驱动器电路,与所述激光二极管并联连接,配置为根据输入的调制信号旁通所述驱动电流,其中所述驱动器电路包括多个级联连接的NMOS晶体管,所述调制信号被施加到所述NMOS晶体管中的位于最下级处的最下级晶体管的栅极端子,以及对所述NMOS晶体管中的位于所述最下级晶体管的上级处的上级晶体管的栅极端子施加上级偏置电位,所述上级偏置电位是位于所述上级晶体管的紧邻下级的晶体管的最小栅极‑源极电压和最大漏极‑源极电压之和。
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