[发明专利]直接调制激光器驱动电路

权利要求书

1.一种直接调制激光器驱动电路，包括：

电源电路，配置为向激光二极管供给驱动电流；以及

驱动器电路，与所述激光二极管并联连接，配置为根据输入的调制信号旁通所述驱动电流，

其中所述驱动器电路包括多个级联连接的NMOS晶体管，

所述调制信号被施加到所述NMOS晶体管中的位于最下级处的最下级晶体管的栅极端子，以及

对所述NMOS晶体管中的位于所述最下级晶体管的上级处的上级晶体管的栅极端子施加上级偏置电位，所述上级偏置电位是位于所述上级晶体管的紧邻下级的晶体管的最小栅极-源极电压和最大漏极-源极电压之和。

2.根据权利要求1所述的直接调制激光器驱动电路，其中所述电源电路包括连接在恒定电压源和所述激光二极管之间的恒定电流源。

3.根据权利要求1所述的直接调制激光器驱动电路，其中所述电源电路包括连接在恒定电压源和所述激光二极管之间的高频扼流圈。

4.根据权利要求1所述的直接调制激光器驱动电路，其中所述电源电路包括PMOS电流控制晶体管，所述PMOS电流控制晶体管连接在恒定电压源和所述激光二极管之间并被配置为基于电流控制偏置电位将所述驱动电流控制为恒定的。

5.根据权利要求4所述的直接调制激光器驱动电路，还包括：

上级解耦合电路，包括RC低通滤波器，所述RC低通滤波器连接在所述上级偏置电位和所述上级晶体管的栅极端子之间并被配置为移除高频噪声分量；

电源解耦合电路，包括RC低通滤波器，所述RC低通滤波器连接在所述电流控制偏置电位和所述PMOS电流控制晶体管的栅极端子之间并被配置为移除高频噪声分量；以及

解耦合电容器，连接在所述上级晶体管的漏极端子和地电位之间。

6.根据权利要求4所述的直接调制激光器驱动电路，还包括：

串联电路，包括连接在所述最下级晶体管的源极端子和地电位之间的电阻元件和电感器；

电容器，连接在所述最下级晶体管的源极端子和所述地电位之间；以及

高通滤波器，包括：输入电阻元件，所述输入电阻元件的一端施加有所述电流控制偏置电位且另一端与所述电流控制晶体管的栅极端子相连；电容元件，所述电容元件连接在所述电流控制晶体管的栅极端子和所述最下级晶体管的栅极端子之间；以及串联电路，所述串联电路包括连接在所述最下级晶体管的栅极端子和所述地电位之间的电阻元件和电感器。

7.根据权利要求6所述的直接调制激光器驱动电路，还包括：

上级解耦合电路，包括RC低通滤波器，所述RC低通滤波器连接在所述上级偏置电位和所述上级晶体管的栅极端子之间并被配置为移除高频噪声分量；以及

电源解耦合电路，包括RC低通滤波器，所述RC低通滤波器连接在所述电流控制偏置电位和所述输入电阻元件的所述一端之间并被配置为移除高频噪声分量。

8.根据权利要求4所述的直接调制激光器驱动电路，还包括：

串联电路，包括连接在所述最下级晶体管的源极端子和地电位之间的电阻元件和电感器；

电容器，连接在所述最下级晶体管的源极端子和所述地电位之间；以及

高通滤波器，包括：输入电容元件，所述输入电容元件的一端施加有所述调制信号的同相信号且另一端与所述电流控制晶体管的栅极端子相连；串联电路，包括连接在所述电容元件的所述一端和所述地电位之间的电阻元件和电感器；以及电阻元件，连接在所述电流控制偏置电位和所述电容元件的所述另一端之间。