[发明专利]残渣废弃方法及三氯硅烷的制造方法在审
| 申请号： | 201780063979.9 | 申请日： | 2017-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN109863118A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 山下功 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 尹吉伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实现能够在不堵塞配管的情况下将残渣高效地废弃、并且以更高的回收率回收氯硅烷化合物的残渣废弃方法。本发明是在制造三氯硅烷的方法中将由反应生成气体处理工序排出的残渣废弃的方法，干燥至上述残渣中的氯硅烷化合物的含量成为10质量％以下而得到粉状体。 | ||
| 搜索关键词： | 废弃 氯硅烷化合物 三氯硅烷 反应生成气体 处理工序 粉状体 排出 配管 回收率 制造 堵塞 回收 | ||
【主权项】：
1.一种残渣废弃方法，其特征在于，其是在使金属硅、四氯硅烷及氢气反应来制造三氯硅烷的方法中将由反应生成气体处理工序排出的包含氯化铝的残渣废弃的方法，其包括干燥工序，所述干燥工序干燥至所述残渣中的氯硅烷化合物的含量成为10质量％以下而得到粉状体。
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