[发明专利]高功率晶体管有效
| 申请号： | 201780062199.2 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109844956B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 阿兰姆·姆希塔良;文森特·恩戈 | 申请（专利权）人： | 麦克姆技术解决方案控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/331;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了高功率晶体管，例如高功率氮化镓(GaN)晶体管。通过平行布置多个栅极接触区线性阵列、漏极接触区线性阵列和源极接触区线性阵列，这些高功率晶体管具有比传统高功率晶体管更大的总栅极宽度。由此，可以在不延长高功率晶体管的管芯的情况下，增加高功率晶体管的总栅极宽度和额定功率。因此，相对于具有相同额定功率的传统管芯，高功率晶体管的管芯可以安装在更小的电路封装中。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种功率晶体管，包括：衬底；第一多个接触区，其形成在所述衬底上方，并布置成第一线性阵列以形成第一多个晶体管；和第二多个接触区，其形成在所述衬底上方，并布置成与所述第一线性阵列平行的第二线性阵列，以形成第二多个晶体管。
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