[发明专利]低聚硅烷的制造方法有效
| 申请号： | 201780059057.0 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109803921B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 埜村清志;内田博 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04;B01J29/44;B01J29/46;B01J29/48;B01J29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李照明;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供能够高效制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。本发明提供了一种低聚硅烷的制造方法，包含反应工序，在所述反应工序中，向内部具有催化剂层的连续式反应器中投入含有氢化硅烷的流体，由氢化硅烷生成低聚硅烷，从反应器排出含有低聚硅烷的流体，所述反应工序满足下述(i)～(iii)的所有条件，(i)含有氢化硅烷的流体在催化剂层的入口处的温度高于含有低聚硅烷的流体在催化剂层的出口处的温度，(ii)含有氢化硅烷的流体在催化剂层的入口处的温度是200～400℃，(iii)含有低聚硅烷的流体在催化剂层的出口处的温度是50～300℃。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低聚硅烷的制造方法，其特征在于，包含反应工序，在所述反应工序中，向内部具有催化剂层的连续式反应器中投入含有氢化硅烷的流体，由所述氢化硅烷生成低聚硅烷，从所述反应器排出含有所述低聚硅烷的流体，所述反应工序满足下述(i)～(iii)的所有条件，(i)含有所述氢化硅烷的流体在所述催化剂层的入口处的温度高于含有所述低聚硅烷的流体在所述催化剂层的出口处的温度，(ii)含有所述氢化硅烷的流体在所述催化剂层的入口处的温度是200～400℃，(iii)含有所述低聚硅烷的流体在所述催化剂层的出口处的温度是50～300℃。
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