[发明专利]场效应晶体管的制造方法及无线通信设备的制造方法有效
| 申请号： | 201780056286.7 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109716491B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 清水浩二;村濑清一郎;河井翔太 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H10K10/46;H10K77/10;H10K71/60;H10K71/12;H10K10/82;H10K85/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;焦成美 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 能够提供场效应晶体管的制造方法，其包括下述工序：在基板的表面上形成栅电极的工序；在所述栅电极上形成栅极绝缘层的工序；在所述栅极绝缘层上利用涂布法形成含有导电体和感光性有机成分的导电膜的工序；从所述基板的背面侧以所述栅电极作为掩模对所述导电膜进行曝光的工序；将曝光后的导电膜显影而形成源电极及漏电极的工序；在所述源电极和所述漏电极之间利用涂布法形成半导体层的工序，由此能够提供可通过简便的工艺制作的、迁移率高、栅电极与源电极·漏电极可进行高精度的对位的FET、半导体器件、RFID。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 无线通信 设备 | ||
【主权项】：
1.场效应晶体管的制造方法，其包括下述工序：在基板的表面上形成栅电极的工序；在所述栅电极上形成栅极绝缘层的工序；在所述栅极绝缘层上利用涂布法形成含有导电体和感光性有机成分的导电膜的工序；从所述基板的背面侧以所述栅电极作为掩模对所述导电膜进行曝光的工序；将曝光后的导电膜显影而形成源电极及漏电极的工序；在所述源电极和所述漏电极之间利用涂布法形成半导体层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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