[发明专利]磁传感器及电流传感器

摘要

作为具有即使在被长时间保存在高温环境下的情况下也难以发生灵敏度下降的现象的磁阻效应元件的磁传感器，本发明提供一种磁传感器(1)，该磁传感器(1)具备磁阻效应元件(GMR11)，该磁阻效应元件(GMR11)在特定方向上具有灵敏度轴，其中，磁阻效应元件(GMR11)在自由磁性层(23)的与非磁性材料层(21b)相向一侧的相反侧具有第一反铁磁性层(24)，自由磁性层(23)具有失配减小层(23b)和铁磁性层(23a)，该失配减小层(23b)以与第一反铁磁性层(24)相接的方式设置来减小自由磁性层23相对于第一反铁磁性层(24)的晶格失配，该铁磁性层(23a)设置在失配减小层(23)的与第一反铁磁性层(24)相向一侧的相反侧并且由强磁性材料构成，铁磁性层(23a)具有NiFeM层(231a)(M由从Ta、Cr、Nb、Rh、Zr、Mo、Al、Au、Pd、Pt及Si中选出的一种或两种以上元素组成)。

主权项

1.一种磁传感器，所述磁传感器具备磁阻效应元件，所述磁阻效应元件在特定方向上具有灵敏度轴，其中，所述磁阻效应元件在基板上具有将固定磁性层与自由磁性层隔着非磁性材料层层叠而成的层叠结构，所述磁阻效应元件在所述自由磁性层的与所述非磁性材料层相向一侧的相反侧具有第一反铁磁性层，所述第一反铁磁性层能够在与所述自由磁性层之间产生交换耦合偏置从而使所述自由磁性层的磁化方向在能够进行磁化变动的状态下与规定方向一致，所述自由磁性层具有失配减小层和铁磁性层，所述失配减小层以与所述第一反铁磁性层相接的方式设置来减小所述自由磁性层相对于所述第一反铁磁性层的晶格失配，所述铁磁性层设置在所述失配减小层的与所述第一反铁磁性层相向一侧的相反侧并且由强磁性材料构成，所述铁磁性层具有NiFeM层(M由从Ta、Cr、Nb、Rh、Zr、Mo、Al、Au、Pd、Pt及Si中选出的一种或两种以上元素组成)。