[发明专利]用于集成电路（IC）中有源半导体区域的局部温度感测的工艺中端（MOL）金属电阻器温度传感器有效
| 申请号： | 201780051398.3 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109642828B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 戈立新;P·奇达姆巴拉姆;杨斌;J·J·林;G·纳拉帕蒂;余波;邓杰;袁骏;S·S·宋 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/18 | 分类号： | G01K7/18;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于集成电路(IC)中有源半导体区域的局部温度感测的工艺中端(MOL)金属电阻器温度传感器。在IC中与有源半导体区域邻近而制造一个或多个金属电阻器以感测在邻近有源半导体区域中的环境温度。金属电阻器的电压将作为金属电阻器的环境温度的函数而变化，可以金属电阻器的电压以测量与金属电阻器邻近的有源半导体层中器件周围的环境温度。通过在MOL层中制造金属电阻器，金属电阻器可以定位邻接并紧靠半导体器件以更精确地感测半导体器件的环境温度。用于在MOL层中形成接触的相同制造工艺可以用于制造金属电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 ic 有源 半导体 区域 局部 温度 工艺 中端 mol 金属 电阻器 温度传感器 | ||
【主权项】：
1.一种用于集成电路(IC)的工艺中端(MOL)温度传感器，包括：有源半导体层；金属电阻器，具有电阻并且包括被布置在MOL层中的第一金属材料，所述MOL层被布置在所述有源半导体层之上；第一接触，被布置在所述MOL层中在所述金属电阻器之上，所述第一接触电耦合至所述金属电阻器的第一接触区域；第二接触，被布置在所述MOL层中在所述金属电阻器之上，所述第二接触电耦合至所述金属电阻器的第二接触区域，其中所述金属电阻器具有在所述第一接触区域和所述第二接触区域之间的电阻；第一互连，被布置在所述有源半导体层中的所述MOL层之上的第一互连层中，所述第一互连层电耦合至所述第一接触以将所述第一互连电耦合至所述金属电阻器的所述第一接触区域；以及第二互连，被布置在所述有源半导体层中的所述MOL层之上的第二互连层中，所述第二互连层电耦合至所述第二接触以将所述第二互连电耦合至所述金属电阻器的所述第二接触区域。
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