[发明专利]多个数据温度区的交叉点存储器的磨损均衡方法有效
| 申请号： | 201780051147.5 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN109643274B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 唐翔宇;胡肯;李晓兵;吴云翔 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/00 | 分类号： | G06F12/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种由处理器执行的改进交叉点(cross‑point，X3D)存储器中的磨损均衡的方法，包括：耦合到所述X3D存储器的处理器检测触发事件，其中，所述X3D存储器包括第一部分存储单元和第二部分存储单元；响应于检测所述触发事件，所述处理器将存储在所述第一部分存储单元的第一存储单元中的数据迁移到与所述第一部分存储单元的最后一个存储单元相邻的存储单元，以及所述处理器将存储在所述第二部分存储单元的第一存储单元中的数据迁移到与所述第二部分存储单元的最后一个存储单元相邻的存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 数据 温度 交叉点 存储器 磨损 均衡 方法 | ||
【主权项】：
1.一种由处理器执行的改进交叉点(cross‑point，X3D)存储器中的磨损均衡的方法，其特征在于，包括：耦合到所述X3D存储器的处理器检测触发事件，其中：所述X3D存储器包括第一部分存储单元和第二部分存储单元，所述第一部分存储单元包括用于存储第一类型数据的多个连续存储单元，以及所述第二部分存储单元包括用于存储第二类型数据的多个连续存储单元；以及响应于检测所述触发事件：所述处理器将存储在所述第一部分存储单元的第一存储单元中的数据迁移到与所述第一部分存储单元的最后一个存储单元相邻的存储单元；以及所述处理器将存储在所述第二部分存储单元的第一存储单元中的数据迁移到与所述第二部分存储单元的最后一个存储单元相邻的存储单元。
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