[发明专利]密度优化的模块级电感器接地结构在审
| 申请号： | 201780050341.1 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109644549A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | D·F·伯迪;C·H·芸;N·S·穆达卡特;M·F·维勒兹;左丞杰;金钟海 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H01L49/02;H01L23/522;H01L23/552;H01L23/64;H01L23/00;H05K3/06;H05K1/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张曦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路(IC)器件(300)可以包括第一衬底(310)，第一衬底具有在第一衬底的导电层中的电感器接地平面(320)。集成电路还可以包括第一电感器(340)，第一电感器位于由第一衬底支撑的第二衬底(330)的无源器件层(332)中。电感器接地平面的形状可以基本上对应于第一电感器的轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 电感器 衬底 接地平面 集成电路 衬底支撑 导电层中 接地结构 无源器件 优化 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)器件，包括：第一衬底，包括所述第一衬底的导电层中的电感器接地平面；以及第一电感器，位于由所述第一衬底支撑的第二衬底的无源器件层中，所述电感器接地平面的形状基本上对应于所述第一电感器的轮廓。
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