[发明专利]密度优化的模块级电感器接地结构

说明书

一种集成电路(IC)器件(300)可以包括第一衬底(310)，第一衬底具有在第一衬底的导电层中的电感器接地平面(320)。集成电路还可以包括第一电感器(340)，第一电感器位于由第一衬底支撑的第二衬底(330)的无源器件层(332)中。电感器接地平面的形状可以基本上对应于第一电感器的轮廓。

技术领域

本公开的各方面涉及半导体器件，并且更特别地涉及用于高品质(Q)因子射频(RF)应用的密度优化的模块级电感器接地结构。

背景技术

用于集成电路(IC)的半导体制造的工艺流程可以包括前端制程(FEOL)工艺、中间制程(MOL)工艺、以及后端制程(BEOL)工艺。前端制程工艺可以包括晶片制备、隔离、阱形成、栅极图案化、间隔物、延伸和源极/漏极注入、硅化物形成、以及双应力衬垫形成。中间制程工艺可以包括栅极接触部形成。中间制程层可以包括，但不限于，中间制程接触部、过孔或紧邻半导体器件晶体管或其他类似有源器件的其他层。后端制程工艺可以包括一系列的晶片处理步骤，用于将前端制程工艺和中间制程工艺期间创建的半导体器件互连。

现代半导体芯片产品的成功制造涉及材料和所采用的工艺之间的相互作用。特别地，在后端制程工艺中形成用于半导体制造的导电材料是工艺流程的越来越具有挑战性的部分。这在维持小的特征尺寸方面特别是真实的。维持小的特征尺寸的相同挑战也适用于所有无源RF技术，其中高性能组件(诸如电感器和电容器)被构建在高度绝缘的衬底上，该衬底还可以具有非常低的损耗。

“玻璃上无源”器件涉及高性能电感器组件和电容器组件，其相对于其他技术，诸如通常在移动射频(RF)芯片(例如，移动RF收发器)的制造中使用的表面贴装技术或多层陶瓷芯片，具有各种优点。移动RF收发器的设计复杂性被向深亚微米工艺节点的迁移复杂化，该迁移归因于成本和功耗考虑。移动RF收发器设计进一步被支持通信增强的添加的电路功能复杂化。对于移动RF收发器的进一步设计挑战包括模拟/RF性能考虑，诸如失配、噪声和其他性能考虑。这些移动RF收发器的设计包括使用无源器件，例如以抑制谐振，和/或以在高功率片上系统(SoC)器件(诸如应用处理器和图形处理器)中执行滤波、旁路和耦合。

发明内容

一种集成电路(IC)器件可以包括第一衬底，第一衬底具有在第一衬底的导电层中的电感器接地平面。集成电路还可以包括第一电感器，第一电感器位于由第一衬底支撑的第二衬底的无源器件层中。电感器接地平面的形状可以基本上对应于第一电感器的轮廓。

一种制造集成电路器件的方法可以包括：将具有包括第一电感器的无源器件层的第二衬底放置在第一衬底上。该方法还可以包括：在第一衬底的导电层中制造电感器接地平面。电感器接地平面的形状可以基本上对应于第一电感器的轮廓。

一种射频(RF)前端模块可以包括滤波器。滤波器可以包括第一衬底，第一衬底具有在第一衬底的导电层中的电感器接地平面。滤波器还可以包括第一电感器，第一电感器位于由第一衬底支撑的第二衬底的无源器件层中。电感器接地平面的形状可以基本上对应于第一电感器的轮廓。RF前端模块还可以包括耦合到滤波器的双工器和耦合到双工器的输出的天线。

这已经相当广泛地概述了本公开的特征和技术优点，以便可以更好地理解随后的详细描述。下面将描述本公开的附加特征和优点。本领域技术人员应当明白，本公开可以容易地用作修改或设计用于执行本公开的相同目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应当认识到，这种等效构造没有脱离所附权利要求中阐述的本公开的教导。当关于附图来考虑时，从以下描述将更好地理解被认为是本公开的关于其组织和操作方法的特性的新颖特征、以及进一步的目标和优点。然而，将清楚地理解，每个附图被提供仅用于说明和描述的目的，并且不旨在作为本公开的范围的定义。

附图说明

为了更完整地理解本公开，现在参考结合附图作出的以下描述。

图1是根据本公开的一方面的射频(RF)通信系统的示图。