[发明专利]包含多电平存储器单元的设备及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201780047990.6 申请日: 2017-07-21
公开(公告)号: CN109564767B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 因诺琴佐·托尔托雷利;鲁塞尔·L·迈尔;阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺;安德烈亚·雷达埃利;洛伦佐·弗拉汀;法比欧·佩里兹 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明揭示一种包含存储器元件及选择器装置的存储器单元。数据可存储于所述存储器元件及选择器装置两者中。所述存储器单元可通过施加具有不同极性及量值的写入脉冲而进行编程。写入脉冲的不同极性可将不同逻辑状态编程到所述选择器装置中。写入脉冲的不同量值可将不同逻辑状态编程到所述存储器元件中。所述存储器单元可通过都具有相同极性的读取脉冲来读取。可通过观测在施加读取脉冲时的不同阈值电压来检测所述存储器单元的逻辑状态。不同阈值电压可响应于写入脉冲的不同极性及量值。
搜索关键词: 包含 电平 存储器 单元 设备 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种设备,其包括:存储器单元,其包含:存储器元件;及选择器装置,其电耦合到所述存储器元件;第一存储器存取线,其耦合到所述存储器单元;第二存储器存取线,其耦合到所述存储器单元;第一存取线驱动器,其耦合到所述第一存储器存取线;及第二存取线驱动器,其耦合到所述第二存储器存取线,其中所述第一及第二存取线驱动器经配置以:跨越所述存储器单元以第一极性提供第一电压以将第一逻辑状态写入所述存储器单元,跨越所述存储器单元以第二极性提供第二电压以将第二逻辑状态写入所述存储器单元,跨越所述存储器单元以所述第一极性提供第三电压以将第三逻辑状态写入所述存储器单元,且跨越所述存储器单元以所述第二极性提供第四电压以将第四逻辑状态写入所述存储器单元。
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