[发明专利]单晶的制造方法和装置有效
| 申请号： | 201780047576.5 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN109563637B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 西冈研一 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/32 | 分类号： | C30B13/32;C30B13/28;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 鲁炜;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于在基于FZ法的硅单晶的制造中防止切换为基于支撑机构的支撑之后产生晶体弯曲。解决方案为，具有：一边使以一点支撑晶种(2)的下端的晶轴(13)旋转，一边使单晶(3)向晶种(2)的上方生长的步骤；在单晶(3)生长为规定的晶体形状的阶段，使支撑机构与单晶(3)的锥形部(3b)的外周面抵接而由基于晶轴(13)的支撑切换为基于支撑机构的支撑的步骤；在完成切换为基于支撑机构的支撑的操作之后，以固定支撑机构的垂直方向的位置的状态使晶轴(13)下降而增强支撑机构对单晶(3)的压入的步骤；和一边以支撑机构支撑单晶(3)一边使单晶(3)生长的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单晶的制造方法，其为基于FZ法的单晶的制造方法，所述FZ法中，对原料棒的一部分进行加热而形成熔融区，并使分别位于所述熔融区的上方和下方的所述原料棒和单晶下降而使所述单晶生长，所述单晶的制造方法的特征在于，具有：一边使支撑晶种的下端的晶轴旋转一边使单晶向所述晶种的上方生长的步骤；通过使支撑机构与生长为规定的晶体形状的所述单晶的锥形部的外周面抵接来将所述单晶的支撑主体由所述晶轴切换为所述支撑机构的步骤；在将所述单晶的支撑主体切换为所述支撑机构之后，以固定所述支撑机构的垂直方向的位置的状态使所述晶轴下降而增强所述支撑机构对所述单晶的压入的步骤；和一边以所述支撑机构进行支撑一边使所述单晶进一步生长的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780047576.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包衣线材
- 下一篇：适用于三维半导体元件外延生长的成核结构
