[发明专利]晶片的双面研磨方法有效
| 申请号： | 201780047235.8 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN109475996B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 御厨俊介;三浦友纪 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/28 | 分类号： | B24B37/28;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李婷;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于，在双面研磨中抑制晶片外周部的滚降而减小平坦度的偏差。解决方案为：提供一种晶片的双面研磨方法，用上压盘和下压盘将配置于载体的晶片装填孔内的晶片连同载体一起进行夹压保持，一边将浆料供给到晶片，一边使上压盘和下压盘旋转，从而对晶片进行双面研磨，所述晶片的双面研磨方法具备：预先测定多个载体的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值的工序（S1）；根据斜率值的测定结果，从多个载体中筛选斜率值为阈值以下的工序（S2Y、S3）；及使用被筛选的载体对晶片进行双面研磨的工序（S4）。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 双面 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的双面研磨方法，用上压盘和下压盘将配置于载体的晶片装填孔内的晶片连同所述载体一起进行夹压保持，一边将浆料供给到所述晶片，一边使所述上压盘和所述下压盘旋转，从而对所述晶片进行双面研磨，所述晶片的双面研磨方法的特征在于，具备：预先测定多个载体的晶片装填孔的边缘附近的主表面的斜率值的工序；根据所述斜率值的测定结果，从所述多个载体中筛选所述斜率值为阈值以下的载体的工序；及使用被筛选的载体对所述晶片进行双面研磨的工序。
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