[发明专利]电阻式随机存取存储器(RRAM)单元细丝的电流形成在审
| 申请号： | 201780046525.0 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN109863489A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | S.哈里哈兰;H.V.陈;F.周;X刘;S.莱姆克;N.杜;Z.陈;X.王 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司;新加坡科技研究局 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L29/76;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 存储器设备包括：金属氧化物材料，该金属氧化物材料被设置在第一导电电极和第二导电电极之间并且与它们电接触；和电流源，该电流源被配置成施加通过金属氧化物材料的一个或多个电流脉冲。对于所述一个或多个电流脉冲中的每一个，所述电流的振幅在所述电流脉冲期间随时间增大，以在金属氧化物材料中形成导电细丝。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氧化物材料 电流脉冲 导电电极 电流源 电阻式随机存取存储器 存储器设备 导电细丝 电流形成 电接触 细丝 施加 配置 | ||
【主权项】：
1.一种在设置在第一导电电极和第二导电电极之间并且与它们电接触的金属氧化物材料中形成导电细丝的方法，所述方法包括：施加通过所述金属氧化物材料的一个或多个电流脉冲；其中对于所述一个或多个电流脉冲中的每一个，所述电流的振幅在所述电流脉冲期间随时间增大。
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