[发明专利]集成电路器件结构和双侧制造技术

摘要

集成电路单元架构包括前侧和背侧结构二者。背侧注入、半导体沉积、电介质沉积、金属化、膜图案化和晶片层级层转移中的一种或多种与前侧处理集成。这种双侧处理可能需要显露从衬底的前侧制造的结构的背侧。可以构建宿主‑施主衬底组件以在背侧处理期间支撑并保护前侧结构。可以在背侧处理期间修改和/或互连前侧器件，例如FET。可以将诸如FET的背侧器件与前侧器件集成以扩展器件功能、改善性能或增大器件密度。

主权项

1.一种器件结构，包括：主体，所述主体包括单晶半导体材料、与隔离电介质相邻；与所述主体的侧壁相邻的栅极堆叠体，所述栅极堆叠体包括通过栅极电介质与所述侧壁分开的栅极电极；在所述栅极堆叠体的相对侧上耦合到所述主体的源极和漏极；耦合到所述源极、所述漏极或所述栅极电极中的至少一个的前侧互连金属化层；以及处于所述主体的与所述前侧互连金属化层相对的背侧表面之上的背侧器件层，其中，所述背侧器件层包括具有与所述主体的组分不同的组分的第二半导体材料；以及电耦合到所述背侧器件层的背侧器件端子。