[发明专利]半导体器件

摘要

一个实施例公开一种半导体器件，包括：半导体结构，该半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间布置的有源层并且包括多个第一凹部和第二凹部，多个第一凹部被布置为通过穿透第二导电半导体层和有源层直到第一导电半导体层的部分区域，第二凹部被布置在多个第一凹部之间；多个第一电极，其被布置在多个第一凹部内，并且与第一导电半导体层电连接；多个第二电极，其被电连接到第二导电半导体层；以及反射层，其被布置在第二凹部内，其中多个第一凹部的面积和第二凹部的面积之和为半导体结构的第一方向中的最大面积的60％或更小，多个第一凹部的面积和第二凹部的面积是在半导体结构的下表面上形成的面积，并且第一方向垂直于半导体结构的厚度方向。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体结构，所述半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间布置的有源层、多个第一凹部、以及第二凹部，所述多个第一凹部被布置为通过穿过所述第二导电半导体层和所述有源层直到所述第一导电半导体层的某个区域，所述第二凹部被布置在所述多个第一凹部之间；多个第一电极，所述多个第一电极被布置在所述多个第一凹部内并且被电连接到所述第一导电半导体层；多个第二电极，所述多个第二电极被电连接到所述第二导电半导体层；以及反射层，所述反射层被布置在所述第二凹部内，其中，所述半导体结构产生紫外波长范围内的光；相对于第一方向中的所述半导体结构的最大面积，所述多个第一凹部的面积与所述第二凹部的面积之和处于60％或者更少的范围内；所述多个第一凹部的面积和所述第二凹部的面积是在所述半导体结构的下表面上形成的面积，以及所述第一方向是与所述半导体结构的厚度方向垂直的方向。