[发明专利]用于在等离子体处理期间控制在基板的电压波形的系统与方法有效
| 申请号： | 201780036469.2 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109417013B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | L·多尔夫;J·H·罗杰斯;O·卢埃尔;T·高;R·丁德萨;S·斯里尼瓦杉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于在等离子体处理期间控制基板处的电压波形的系统和方法包括将成形脉冲偏压波形施加到基板支撑件，所述基板支撑件包括静电吸盘、吸附极、基板支撑件表面和电极，电极与所述基板支撑件表面由介电材料层分离。所述系统和方法进一步包括捕捉代表定位于所述基板支撑件表面上的基板处的电压的电压，以及基于捕捉的信号迭代地调整所述成形脉冲偏压波形。在等离子体处理系统中，可以选择分离所述电极和所述基板支撑件表面的介电材料层的厚度和组成，使得所述电极和所述基板支撑表面之间的电容比所述基板支撑件表面和等离子体表面之间的电容大至少一个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 期间 控制 电压 波形 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在等离子体处理腔室中在等离子体处理期间控制基板处的电压波形的方法，包括：对所述等离子体处理腔室内的基板支撑件施加成形脉冲偏压波形，所述基板支撑件包含静电吸盘、吸附极、基板支撑表面与电极；捕捉代表定位在所述基板支撑表面上的基板处的电压的信号；以及基于捕捉的信号迭代地调整所述成形脉冲偏压波形。
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