[发明专利]热电材料、热电元件、光学传感器和热电材料的制造方法有效
| 申请号： | 201780033952.5 | 申请日： | 2017-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN109219894B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 足立真宽 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/26 | 分类号： | H01L35/26;B82Y30/00;C01B33/06;G01J1/02;H01L21/205;H01L35/14;H01L35/32;H01L35/34;H02N11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是为了在含有纳米粒子的热电材料中实现更好的热电特性。热电材料包含分散在具有带隙的第一材料和不同于第一材料的第二材料的混合体中的多个纳米粒子。第一材料含有Si和Ge。所述第二材料的原子浓度和Si对Ge的组成比满足下式(1)和(2)中的关系式，其中c表示所述热电材料中所述第二材料的原子浓度(单位为原子％)且r表示所述热电材料中Si对Ge的组成比：r≤0.62c‑0.25(1)；r≥0.05c‑0.06(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 材料 元件 光学 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热电材料，其包含：分散在第一材料和第二材料的混合体中的多个纳米粒子，所述第一材料含有Si和Ge，所述第二材料不同于所述第一材料，所述第二材料的原子浓度和Si对Ge的组成比满足下式(1)和(2)中的关系式，其中c表示所述热电材料中所述第二材料的原子浓度(单位为原子％)且r表示所述热电材料中Si对Ge的组成比：r≤0.62c‑0.25...(1)r≥0.05c‑0.06...(2)。
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