[发明专利]具有多个栅极垫的半导体器件在审
| 申请号： | 201780032953.8 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN109196631A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | C·朴;A·谢比卜;K·特里尔 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 金辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种包括附加的栅极垫的半导体器件，以及制造和测试这种器件的方法。器件可以包括第一栅极垫、第二栅极垫和第三栅极垫。第一栅极垫连接于包括栅极氧化层的栅极。第二和第三栅极垫是器件的静电放电(ESD)保护网络的一部分。ESD保护网络最初与第一栅极垫隔离并因此与栅极和栅极氧化层隔离。因此，可以有效地执行栅极氧化物完整性(GOI)测试，并且可以检查栅极氧化层的可靠性和质量。随后可以将第二栅极垫连接于第一栅极垫，以启用ESD保护网络，并且当封装器件时，第三栅极垫可以随后连接至外部端子。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极垫 栅极氧化层 半导体器件 隔离 栅极氧化物 测试 保护网络 封装器件 静电放电 外部端子 有效地 网络 制造 检查 | ||
【主权项】：
1.制造和测试半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体器件位于晶片上的情况下，将第一电压施加于多个半导体器件的某一半导体器件的第一栅极垫，所述半导体器件还包括第二栅极垫，当施加第一电压到第一栅极垫时，第二栅极垫与第一栅极垫电气隔离；从第一栅极垫移除第一电压；以及在所述移除之后，在第一栅极垫和第二栅极垫之间形成第一电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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