[发明专利]在处理设备中分离电力域的系统和方法有效
| 申请号： | 201780032311.8 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN109154856B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | S·萨哈;S·拉杰;S·R·钱德拉塞卡兰;邱立;A·特亚吉;M·菲利普;R·弗玛 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/3287 | 分类号： | G06F1/3287 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张曦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：具有多个子核的处理核；从多个子核中的第一子核跨越到第二子核的多个电力轨，该多个电力轨被配置为向第一子核和第二子核中的每个子核提供操作电压；以及限定第一子核与第二子核之间的边界的多个单元，这些单元中的每个单元在相应电力轨中提供不连续性，其中不连续性包括在半导体器件的多于一个层中在相应电力轨中的中断。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 设备 分离 电力 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：处理核，具有多个子核；多个电力轨，从所述多个子核中的第一子核跨越到第二子核，所述多个电力轨被配置为向所述第一子核和所述第二子核中的每个子核提供操作电压；以及多个单元，限定所述第一子核与所述第二子核之间的边界，所述单元中的每个单元在相应电力轨中提供不连续性，其中所述不连续性包括在所述半导体器件的多于一个层中在所述相应电力轨中的中断。
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